مواد دو بعدی (2 بعدی) به دلیل خواص منحصر به فرد و متنوع خود، توجه قابل توجهی را در زمینه های الکترونیک نوری و الکترونیک به خود جلب کرده اند. در این کار، خواص حمل و نقل الکترونیکی، فروالکتریک، پیزوالکتریک و نوری 2 بعدی In2Te3 با استفاده از اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی به طور سیستماتیک مورد بررسی قرار گرفت. بر اساس تجزیه و تحلیل طیف فونون و مدول الاستیک معیار Born موثر، نشان می دهد که ساختار 2D In2Te3 جدید از نظر دینامیکی پایدار است. نتایج محاسبات نشان می‌دهد که 2D In2Te3 تحرک حامل تا 3680.99 cm2V-1s-1 (جهت y)، قطبش بالای 2.428 × 10-10 C/m و یک مانع انتقال فاز فروالکتریک عالی را نشان می‌دهد (524). meV) و خواص پیزوالکتریک (e11 = 1.52 × 10-10 C/m). تحرک بالاتر حامل به دلیل انحطاط نوار و جرم ناقل موثر کوچک است. علاوه بر این، کرنش دو محوری یک راه موثر برای تعدیل شکاف باند و خواص نوری 2D In2Te3 است. این ویژگی ها نشان می دهد که 2D In2Te3 یک ماده نامزد امیدوارکننده برای دستگاه های الکترونیکی انعطاف پذیر و دستگاه های فتوولتائیک فروالکتریک است.
لطفا صبر کنید تا محتوای شما را بارگذاری کنیم…
